Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S1M1000170K

S1M1000170K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
3.7 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 302 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%953,52 ₽

Сумма · с НДС 22%953,52 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1953,52 ₽
от 10671,41 ₽
от 30624,40 ₽
от 150556,69 ₽
от 300530,36 ₽
от 600500,27 ₽
от 1200470,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS1M1000170K
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current3.7 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation81 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W

Документация

Документы пока не предоставлены.