Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S1M1000170J

S1M1000170J
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 50 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%696,08 ₽

Сумма · с НДС 22%696,08 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1696,08 ₽
от 3622,51 ₽
от 10543,28 ₽
от 50496,12 ₽
от 250460,28 ₽
от 1000431,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS1M1000170J
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current4.1 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation100 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W

Документация

Документ производителя