ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RZM002P02T2L
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -200 mA
- Pulsed drain current
- -0.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.15 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 748 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%40,30 ₽
Сумма · с НДС 22%40,30 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 40,30 ₽ | |
| от 10 | 26,20 ₽ | |
| от 20 | 21,98 ₽ | |
| от 50 | 17,44 ₽ | |
| от 100 | 14,67 ₽ | |
| от 500 | 10,42 ₽ | |
| от 5000 | 10,13 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RZM002P02T2L |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -200 mA |
| Pulsed drain current | -0.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.15 W |
| Корпус | SOT723 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.2A; Idm: -0.8A; 150mW; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.