ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RZM001P02T2L
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -100 mA
- Pulsed drain current
- -0.4 A
- Power dissipation
- 0.15 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 350 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%47,49 ₽
Сумма · с НДС 22%47,49 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 47,49 ₽ | |
| от 10 | 24,31 ₽ | |
| от 50 | 19,18 ₽ | |
| от 100 | 17,11 ₽ | |
| от 500 | 12,78 ₽ | |
| от 1000 | 11,36 ₽ | |
| от 4000 | 8,79 ₽ | |
| от 5000 | 8,41 ₽ | |
| от 8000 | 7,62 ₽ | |
| от 24000 | 5,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RZM001P02T2L |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -100 mA |
| Pulsed drain current | -0.4 A |
| Power dissipation | 0.15 W |
| Корпус | SOT723 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 3.8 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.1A; Idm: -0.4A; 150mW; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.