ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RZF013P01TL

TUMT3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -1.3 A
Pulsed drain current: -5.2 A
Power dissipation: 0.8 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RZF013P01TL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-1.3 A
Pulsed drain current	-5.2 A
Power dissipation	0.8 W
Корпус	TUMT3
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	1.06 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -1.3A; Idm: -5.2A; 800mW

Документация

Документы пока не предоставлены.