Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RYC002N05T316

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRYC002N05T316
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSST3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SST3

Документация

Документы пока не предоставлены.