Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RXH125N03TB1

RXH125N03TB1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
12.5A
Pulsed drain current
36A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRXH125N03TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current12.5A
Pulsed drain current36A
Power dissipation2W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance14mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 36A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.