Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RXH090N03TB1

RXH090N03TB1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
36 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRXH090N03TB1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9 A
Pulsed drain current36 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.