Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3R05BBHC16

RX3R05BBHC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
50 A
Power dissipation
89 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRX3R05BBHC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current50 A
Power dissipation89 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance29 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 50A; 89W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.