Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3P10BBHC16

RX3P10BBHC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100V
Drain current
170A
Power dissipation
189W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRX3P10BBHC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100V
Drain current170A
Power dissipation189W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.3mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge135nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 170A; 189W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.