Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3P07CBHC16

RX3P07CBHC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100V
Drain current
120A
Power dissipation
135W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRX3P07CBHC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100V
Drain current120A
Power dissipation135W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.2mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 120A; 135W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.