ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RX3L18BBGC16
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 240 A
- Рассеиваемая мощность
- 192 W
- Корпус
- TO220AB
- Gate-source voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 728 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%881,00 ₽
Сумма · с НДС 22%14 977,00 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 17 | 881,00 ₽ | |
| от 30 | 772,05 ₽ | |
| от 50 | 753,26 ₽ | |
| от 100 | 736,36 ₽ | |
| от 200 | 653,70 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RX3L18BBGC16 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 240 A |
| Рассеиваемая мощность | 192 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.84 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 160nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 60V; 240A; 192W; TO220AB
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.