Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3L07BGNC16

RX3L07BGNC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
70 A
Power dissipation
96 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRX3L07BGNC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current70 A
Power dissipation96 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge55nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 70A; 96W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.