Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3L07BBGC16

RX3L07BBGC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
105 A
Power dissipation
89 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRX3L07BBGC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current105 A
Power dissipation89 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 105A; 89W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.