Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX3G18BGNC16

RX3G18BGNC16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
180 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRX3G18BGNC16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current180 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.64 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge168nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 125W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.