ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX2P06BBHC7G

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 52W
On-state resistance: 8.4mΩ
Монтаж: THT — в отверстия

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RX2P06BBHC7G
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	100V
Drain current	65A
Power dissipation	52W
On-state resistance	8.4mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	38nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 65A; 52W

Документация

Документы пока не предоставлены.