Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX2G10BBGC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
205 A
Рассеиваемая мощность
100 W
On-state resistance
1.47 mΩ
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 94 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%802,23 ₽

Сумма · с НДС 22%15 242,37 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19802,23 ₽
от 30693,52 ₽
от 50671,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRX2G10BBGC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current205 A
Рассеиваемая мощность100 W
On-state resistance1.47 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 205A; 100W

Документация

Документы пока не предоставлены.