Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RX2G07BBGC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Рассеиваемая мощность
52 W
On-state resistance
3 mΩ
Монтаж
THT — в отверстия
Gate charge
56nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 97 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%335,51 ₽

Сумма · с НДС 22%14 762,44 ₽

От 44 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 44335,51 ₽
от 50313,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRX2G07BBGC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Рассеиваемая мощность52 W
On-state resistance3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 52W

Документация

Документы пока не предоставлены.