Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV8C010UNHZGG2CR

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Gate-source voltage
±8 V
On-state resistance
470 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 007 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%43,02 ₽

Сумма · с НДС 22%12 647,88 ₽

От 294 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 29443,02 ₽
от 30033,54 ₽
от 50031,53 ₽
от 100030,26 ₽
от 400029,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRV8C010UNHZGG2CR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage20 V
Drain current1 A
Рассеиваемая мощность1 W
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance470 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 20V; 1A; 1W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.