Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV4C020ZPHZGTCR1

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2 A
Power dissipation
1.5 W
Gate-source voltage
±8 V
On-state resistance
0.26 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 090 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%56,22 ₽

Сумма · с НДС 22%13 099,26 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 23356,22 ₽
от 30046,73 ₽
от 50044,64 ₽
от 100043,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRV4C020ZPHZGTCR1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2 A
Power dissipation1.5 W
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -20V; -2A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.