ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV3CA01ZPT2CL

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 0.1W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.8Ω
Монтаж: SMD — поверхностный

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RV3CA01ZPT2CL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Drain-source voltage	-20V
Power dissipation	0.1W
Gate-source voltage	±10V
On-state resistance	3.8Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -20V; 100mW

Документация

Документы пока не предоставлены.