ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV2C014BCT2CL

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.6W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RV2C014BCT2CL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-1.4A
Pulsed drain current	-2.8A
Power dissipation	0.6W
Корпус	DFN1006-3
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	0.7Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -2.8A; 600mW

Документация

Документы пока не предоставлены.