Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV2C010UNT2L

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRV2C010UNT2L
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1 A
Pulsed drain current2 A
Рассеиваемая мощность0.4 W
КорпусDFN1006-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.05 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 400mW; DFN1006-3

Документация

Документы пока не предоставлены.