ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RV1C001ZPT2L

X2-DFN0806-3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -100 mA
Pulsed drain current: -0.4 A
Power dissipation: 0.1 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RV1C001ZPT2L
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-100 mA
Pulsed drain current	-0.4 A
Power dissipation	0.1 W
Корпус	X2-DFN0806-3
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	40 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -100mA; Idm: -0.4A; 100mW

Документация

Документы пока не предоставлены.