Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RUR040N02HZGTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
TSMT3
Gate-source voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 398 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%57,39 ₽

Сумма · с НДС 22%12 511,02 ₽

От 218 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 21857,39 ₽
от 30048,19 ₽
от 50046,38 ₽
от 100044,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRUR040N02HZGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage20 V
Drain current4 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 20V; 4A; 1W; TSMT3; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.