Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RUF015N02TL

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
1.5 A
Pulsed drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
0.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRUF015N02TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current1.5 A
Pulsed drain current3 A
Рассеиваемая мощность0.8 W
КорпусTUMT3
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.