ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RUE002N02TL
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 0.2 A
- Gate-source voltage
- ±8 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Kind of channel
- enhancement
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 31 547 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%12,67 ₽
Сумма · с НДС 22%8 488,90 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 670 | 12,67 ₽ | |
| от 1000 | 11,24 ₽ | |
| от 4000 | 10,16 ₽ | |
| от 5000 | 10,07 ₽ | |
| от 10000 | 9,94 ₽ | |
| от 30000 | 9,83 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RUE002N02TL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 0.2 A |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 20V; 200mA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.