Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RUC002N05HZGT116

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
800 A
Рассеиваемая мощность
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRUC002N05HZGT116
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current800 A
Рассеиваемая мощность0.35 W
КорпусSST3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance7.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 800A; 350mW; SST3

Документация

Документы пока не предоставлены.