Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50V
Drain current
0.2A
Pulsed drain current
0.8A
Power dissipation
0.15W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRU1J002YNTCL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50V
Drain current0.2A
Pulsed drain current0.8A
Power dissipation0.15W
КорпусSOT323F
Gate-source voltage±8V
On-state resistance3.8Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.