Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RTR040N03HZGTL

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
16 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRTR040N03HZGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4 A
Pulsed drain current16 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance66 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 16A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.