ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RTR020N05HZGTL

TSMT3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45 V
Drain current: 2 A
Pulsed drain current: 8 A
Рассеиваемая мощность: 1 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RTR020N05HZGTL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	45 V
Drain current	2 A
Pulsed drain current	8 A
Рассеиваемая мощность	1 W
Корпус	TSMT3
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.25 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.