Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RTQ035N03HZGTR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.5 A
Power dissipation
1.25 W
Корпус
TSMT6
Gate-source voltage
±12 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRTQ035N03HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current3.5 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.6nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 3.5A; 1.25W; TSMT6; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.