ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RTQ020N05HZGTR
TSMT6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 45 V
- Drain current
- 2 A
- Power dissipation
- 1.25 W
- Корпус
- TSMT6
- Gate-source voltage
- ±12 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 010 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%47,45 ₽
Сумма · с НДС 22%13 001,30 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 274 | 47,45 ₽ | |
| от 300 | 37,70 ₽ | |
| от 500 | 35,82 ₽ | |
| от 1000 | 34,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RTQ020N05HZGTR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 45 V |
| Drain current | 2 A |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Корпус | TSMT6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.19 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 2.3nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 45V; 2A; 1.25W; TSMT6; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.