Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSS100N03HZGTB

RSS100N03HZGTB
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSS100N03HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current10 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.