Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSS065N06HZGTB

RSS065N06HZGTB
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.5 A
Power dissipation
2 W
Корпус
SOP8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 343 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%131,01 ₽

Сумма · с НДС 22%15 459,18 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 118131,01 ₽
от 300119,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRSS065N06HZGTB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current6.5 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 6.5A; 2W; SOP8; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.