Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSR030N06HZGTL

RSR030N06HZGTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3 A
Pulsed drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 139 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%266,10 ₽

Сумма · с НДС 22%266,10 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1266,10 ₽
от 10128,03 ₽
от 10097,32 ₽
от 25085,78 ₽
от 50077,41 ₽
от 100069,04 ₽
от 300056,01 ₽
от 600048,20 ₽
от 900044,10 ₽
от 1500042,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRSR030N06HZGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.105 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.