Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSR030N06FRATL

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3 A
Pulsed drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSR030N06FRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.105 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.