ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RSR025N05HZGTL
TSMT3Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 45 V
- Drain current
- 2.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 1 W
- Корпус
- TSMT3
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 5 884 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%52,66 ₽
Сумма · с НДС 22%13 217,66 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 251 | 52,66 ₽ | |
| от 300 | 43,17 ₽ | |
| от 500 | 41,12 ₽ | |
| от 1000 | 39,82 ₽ | |
| от 4000 | 38,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RSR025N05HZGTL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 45 V |
| Drain current | 2.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Корпус | TSMT3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.1 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 3.6nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 45V; 2.5A; 1W; TSMT3; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.