Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSR025N03HZGTL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
2.5A
Pulsed drain current
10A
Power dissipation
1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRSR025N03HZGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current2.5A
Pulsed drain current10A
Power dissipation1W
КорпусTSMT3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.118Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3

Документация

Документы пока не предоставлены.