Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSQ045N03HZGTR

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4.5 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Корпус
TSMT6
Gate-source voltage
±20 V

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 663 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%61,35 ₽

Сумма · с НДС 22%13 497,00 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 22061,35 ₽
от 30051,28 ₽
от 50049,23 ₽
от 100047,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRSQ045N03HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage30 V
Drain current4.5 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 30V; 4.5A; 1.25W; TSMT6; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.