ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RSQ045N03HZGTR
TSMT6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 4.5 A
- Рассеиваемая мощность
- 1.25 W
- Корпус
- TSMT6
- Gate-source voltage
- ±20 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 663 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%61,35 ₽
Сумма · с НДС 22%13 497,00 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 220 | 61,35 ₽ | |
| от 300 | 51,28 ₽ | |
| от 500 | 49,23 ₽ | |
| от 1000 | 47,92 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RSQ045N03HZGTR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 4.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Корпус | TSMT6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 38 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 6.8nC |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 30V; 4.5A; 1.25W; TSMT6; automotive industry
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.