Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSQ035N06HZGTR

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
14 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSQ035N06HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current14 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance87 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 14A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.