Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSQ025P03HZGTR

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2.5 A
Power dissipation
1.25 W
Корпус
TSMT6
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 784 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%56,60 ₽

Сумма · с НДС 22%13 187,80 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 23356,60 ₽
от 30046,73 ₽
от 50044,83 ₽
от 100043,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRSQ025P03HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2.5 A
Power dissipation1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; -2.5A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.