Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSQ020N03HZGTR

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSQ020N03HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.235 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.