Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSQ015N06HZGTR

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.5 A
Рассеиваемая мощность
1.25 W
Корпус
TSMT6
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 600 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%46,33 ₽

Сумма · с НДС 22%12 833,41 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 27746,33 ₽
от 30036,84 ₽
от 50034,98 ₽
от 100033,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRSQ015N06HZGTR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current1.5 A
Рассеиваемая мощность1.25 W
КорпусTSMT6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 1.5A; 1.25W; TSMT6; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.