Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSJ650N10TL

RSJ650N10TL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
65 A
Pulsed drain current
130 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRSJ650N10TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current65 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation100 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.