Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSJ400N10TL

RSJ400N10TL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSJ400N10TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current40 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A; 50W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.