Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSJ250P10TL

RSJ250P10TL
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-25 A
Pulsed drain current
-50 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSJ250P10TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-25 A
Pulsed drain current-50 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.