ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RSJ250P10FRATL
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -100 V
- Drain current
- -25 A
- Pulsed drain current
- -50 A
- Рассеиваемая мощность
- 50 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 57 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%517,33 ₽
Сумма · с НДС 22%517,33 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 517,33 ₽ | |
| от 10 | 299,90 ₽ | |
| от 50 | 247,42 ₽ | |
| от 100 | 226,80 ₽ | |
| от 200 | 213,68 ₽ | |
| от 500 | 204,31 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RSJ250P10FRATL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -100 V |
| Drain current | -25 A |
| Pulsed drain current | -50 A |
| Рассеиваемая мощность | 50 W |
| Корпус | TO263 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 63 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 60nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.