Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSJ151P10TL

RSJ151P10TL
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-15 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRSJ151P10TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-15 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; Idm: -30A; 50W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.