Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RSH070P05GZETB

RSH070P05GZETB
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-45 V
Drain current
-7 A
Pulsed drain current
-28 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRSH070P05GZETB
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-45 V
Drain current-7 A
Pulsed drain current-28 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.